Статья: Критерий эффективности разделения элементов в процессе плазменной сепарации многокомпонентной смеси (2026)

Представлен анализ оптических свойств поликристаллических фоточувствительных пленок на основе сульфида свинца (PbS), полученных химическим методом осаждения в присутствии прекурсоров: окислителя – дихромата калия (K2Cr2O7) в молярном содержании от 10–5 моль/л до 10–4 моль/л и йодида аммония (NH4I) в содержании 0,2 моль/л. Методами атомно-силовой и сканирующей электронной микроскопии установлено, что образцы, полученные в присутствии прекурсора K2Cr2O7, обладают типичной морфологией для соединения PbS. При добавлении в реакционную ванну NH4I наблюдается сглаживание морфологии поверхности и уменьшение среднего размера кристаллитов, что приводит к увеличению коэффициента отражения, а также к увеличению ширины запрещенной зоны до 0,44–0,47 эВ по сравнению с образцами, осажденными из реакционной ванны с окислителем, для которых Eg составляет 0,37–0,41 эВ

Разработана оригинальная компактная конструкция на основе коаксиального четвертьволнового резонатора, обеспечивающая эффективность передачи СВЧ-мощности в плазму на уровне 92,5 % и высокую пространственную однородность разряда. Предложена и верифицирована самосогласованная многомасштабная ма-тематическая модель, адекватно описывающая сопряжённые электродинамические, плазменно-кинетические и тепловые процессы с погрешностью менее 3 %. Установлено, что лампа на смеси Xe/Br2 демонстрирует оптимальный комплекс характеристик: интегральный КПД преобразования СВЧ-энергии в бактерицидное УФ-излучение достигает 56,2 %, уровень фотореактивации микроорганизмов не превышает 8 %, а деградация выходной мощности после 5000 часов непрерывной работы составляет 12,3 %. Показано, что преимущества XeBr-лампы обусловлены оптимальными условиями для образования эксиплексных молекул через метастабильные состояния Xe* и выгодным спектральным соответствием излучению 283 нм пику бактерицидной эффективности ( 265 нм). Ресурсные испытания подтвердили принципиальное превосходство безэлектродной конструкции по долговечности перед традиционными ртутными лампами низкого давления (РЛНД) аналогичной мощности. Разработанный научно-методический аппарат позволяет перейти к целенаправленному проектированию нового поколения экологически безопасных УФ-источников для систем дезинфекции.

Представлен обзор новых наиболее интересных результатов, представленных на LIII Международной Звенигородской конференции по физике плазмы и управляемому термоядерному синтезу, состоявшейся с 16 по 20 марта 2026 года в г. Звенигород Московской области. Проанализированы достижения по основным направлениям развития исследований в области физики плазмы в России, а также проведено их сравнение с зарубежными работами.

Целью данной работы являлось обеспечение возможности нанесения покрытия цезий-йод заданной толщины на микроканальную пластину (МКП) методом вакуумно-термического распыления, а также исследование влияния толщины этого покрытия на параметры микроструктуры МКП. Расчётные значения толщин сопоставлялись с данными, полученными методом сканирующей зондовой микроскопии. Параметры микроструктуры МКП измерялись с помощью оптического микроскопа. Обнаружено удовлетворительное согласование расчётной величины толщины с результатами прямых измерений на сканирующем зондовом микроскопе, что позволяет наносить покрытия разной толщины, опираясь на приводимый расчёт.

Проведено моделирование скорости поверхностной рекомбинации n-on-p фоточувствительного элемента на основе HgCdTe при различных значениях концентрации легирующей примеси и плотности поверхностных состояний Nt. Использована зависимость квантовой эффективности в приближении больших времен жизни n0 и больших диффузионных длин Ln неосновных носителей заряда. Представлен анализ характеристик фоточувствительного элемента (ФЧЭ) на основе n-on-p фотодиода длинноволнового ИК диапазона спектра – таких как, темновой ток, токовая чувствительность и обнаружительная способность в зависимости от длины волны, напряжения смещения и скорости поверхностной рекомбинации.

В приближении квазинейтральности выполнен теоретический анализ того, как скорость межзонной фотогенерации носителей слабым оптическим излучением преобразуется в электрический ток в гомогенном полупроводнике с примесной рекомбинацией при отсутствии электрического напряжения. Проанализированы различные типы контактов. Показано, что и при отсутствии внешнего электрического поля возможно возникновение фототока, причем существенной величины