Статья: Моделирование скорости поверхностной рекомбинации в структурах CdHgTe (2026)

Читать онлайн

Проведено моделирование скорости поверхностной рекомбинации n-on-p фоточувствительного элемента на основе HgCdTe при различных значениях концентрации легирующей примеси и плотности поверхностных состояний Nt. Использована зависимость квантовой эффективности в приближении больших времен жизни n0 и больших диффузионных длин Ln неосновных носителей заряда. Представлен анализ характеристик фоточувствительного элемента (ФЧЭ) на основе n-on-p фотодиода длинноволнового ИК диапазона спектра – таких как, темновой ток, токовая чувствительность и обнаружительная способность в зависимости от длины волны, напряжения смещения и скорости поверхностной рекомбинации.

The simulation of the surface recombination rate for an HgCdTe n-on-p photosensitive element has been performed at various values of the dopant concentration and the surface states density Nt, using the dependence of quantum efficiency in the approximation of long lifetime and long diffusion length of minority charge carriers. The performance of LWIR n-on-p photosensitive element is presented, such as: dark current, current sensitivity, and detectivity depending on wavelength, bias voltage, and surface recombination rate.

Ключевые фразы: HgCdTe, длинноволновый инфракрасный (ик) спектральный диапазон, скорость поверхностной рекомбинации, p-on-n фотодиод
Автор (ы): Яковлева Наталья Ивановна (YAkovleva N. I.), Трофимов Александр Александрович
Журнал: УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383.4. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом. Фоторезисторы
621.383.5. Фотоприемники с запирающим слоем
Для цитирования:
ЯКОВЛЕВА Н. И., ТРОФИМОВ А. А. МОДЕЛИРОВАНИЕ СКОРОСТИ ПОВЕРХНОСТНОЙ РЕКОМБИНАЦИИ В СТРУКТУРАХ CDHGTE // УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ. 2026. ТОМ 14, №3
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.