Публикации автора

Приведены результаты анодирования кремния и алюминия в кислородной плазме. Плазма образована несамостоятельным тлеющим разрядом с полым катодом, для возбуждения которого при давлении кислорода 20 Па применялся электронный пучок. Плотность тока через анодируемый образец не превышала 1,5 мА/см2, а его температура составляла 200— 250 °С. На поверхности алюминия и кремния формировались сплошные бездефектные пленки Al2O3 u SiO2. Скорости роста слоев окислов составили 150—200 нм/ч для Al2O3 u 400—800 нм/ч для SiO2.

Представлены результаты исследований, направленные на решение проблемы создания диэлектрических покрытий на поверхности проводников для придания им электроизоляционных свойств. Для создания покрытий применялось электронно-лучевое испарение керамики с помощью форвакуумного плазменного источника электронов. Измерены относительная диэлектрическая проницаемость, тангенс угла диэлектрических потерь, полное сопротивление осажденного электроизоляционного покрытия.