ИК-фотопроводимость в многослойных гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми точками (2007)
Обсуждены перспективы применения полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками (КТ) в качестве нового материала для фотоприемников ИК-диапазона. Представлен обзор последних работ в этой области, рассмотрены основные направления исследований, связанных с улучшением параметров фотоприемников. Среди них: инженерия структур с КТ для подавления темнового тока путем включения дополнительных барьерных и туннельно-прозрачных слоев, использование техники роста “dot in well”, сверхрешетки на основе слоев КТ. Приведены результаты исследований продольной ИК-ФП в нелегированных структурах, фотопроводимости в диапазоне 1—2,7 мкм при комнатной температуре, вертикальной ФП в структурах с КТ и дополнительными барьерными слоями p+-GaAs. Показаны особенности продольной ИК-ФП в гетероструктурах с КТ, рассмотрены новые возможности применения фотоприемников на основе таких структур и приведены типичные характеристики чувствительности фотоприемников.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№2 (2007)