Публикации автора

Рассмотрены особенности фотоэлектрических свойств гетеропереходов (ГП) Сd1-xZnxS— CdТе1-xSex в зависимости от технологических режимов их осаждения из раствора и термической обработки. При освещенности 1,45⋅105 лк фотоэлементы генерировали ЭДС 0,5—0,6 В, ток 5—8 мA/см2 и имели КПД η = 4—5 %. Спектральное распределение тока короткого замыкания позволяет охарактеризовать формирователь сигналов изображения на основе ГП Сd1-xZnxS—CdТе1-xSex как зеленочувствительный по общепринятой классификации для фотографических слоев. Однако структура может работать и во всей области видимого спектра, хотя и с разной чувствительностью. Это позволяет получить три цветоотделенных изображения в основных цветах и тем самым сформировать цветной видеосигнал. Преобразование оптического излучения в электрические сигналы на основе ГП Сd1-xZnxS—CdТе1-xSex может быть использовано для регистрации слабых оптических изображений с последующей записью их элементов в память с возможной коррекцией фоточувствительности, а считывание изображения производится ИК-светом.

Приведены результаты исследования фотоэлектрических свойств пленок CdSe1-xTex, имеющих прикладное значение для ИК-техники.