Устройство определения критического уровня тока на эффекте генерации шума p-n-переходом (2009)
Рассмотрена возможность создания устройства, позволяющего определять критический уровень тока, возникающего в цепи микросхемы. Принцип работы устройства основан на эффекте генерации шума в прямой ветке p-n-перехода при определенных электрических нагрузках.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№4 (2009)
Модели процесса возникновения 1/ƒ-шума в полупроводниковых структурах (2009)
Рассмотрены модели возникновения 1/ƒ-шума в полупроводниковых структурах как результаты барьерного эффекта и пуассоновского процесса. Дано объяснение наличию пределов значения степени у в эмпирической формуле 1/ƒy.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№4 (2009)