Разработка алгоритмов моделирования процесса формирования PP++-, P-, PP+-слоев двухпролетных лавинно-пролетных диодов со ступенчатым профилем легирования (2007)
На основе метода имплантации через пленки и метода многократного ионного легирования разработаны алгоритмы моделирования процесса формирования P++-приконтактного слоя и Р+-Р-пролетного слоя двухпролетных лавинно-пролетных диодов (ЛПД) со ступенчатым профилем легирования. Проведен численный эксперимент по определению режима формирования Р++-, Р-, Р+-слоев двухпролетного ЛПД 4-мм диапазона со ступенчатым профилем легирования.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№4 (2007)
Применение воздействия ионных пучков на структуры "пленка—подложка" в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем (2010)
Работа посвящена применению воздействия ионных пучков на структуры “пленка—подложка” для усовершенствования технологии формирования активных структур кристаллов мощных высоковольтных транзисторов, лавинно‐пролетных диодов, систем металлизации ряда изделий полупроводниковой электроники.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№6 (2010)