Применение воздействия ионных пучков на структуры "пленка—подложка" в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем (2010)
Работа посвящена применению воздействия ионных пучков на структуры “пленка—подложка” для усовершенствования технологии формирования активных структур кристаллов мощных высоковольтных транзисторов, лавинно‐пролетных диодов, систем металлизации ряда изделий полупроводниковой электроники.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№6 (2010)