Рассмотрены особенности распылительной технологии нанесения оптических покрытий с помощью магнетронов, питаемых переменным напряжением средней частоты, и вопросы ее практической реализации. Показано, что эта технология обеспечивает получение оптических покрытий высокого качества.
Исследовано влияние концентрации кислорода и давления плазмообразующего газа на элементный состав и оптические свойства пленок окиси цинка, полученных магнетронным распылением Zn-мишени и в Ar: O2‐среде постоянным и импульсным током ультразвуковой частоты. Изложены вычислительные процедуры для определения дисперсионных зависимостей показателей преломления и поглощения и ширины запрещенной зоны.
Исследовались пленки Ta2O5, полученные магнетронным распылением Ta-мишени. Оптические параметры пленок определялись из диэлектрической функции, соответствующей модели Друде—Лорентца. Параметры модели вычислялись по результатам измерений коэффициента пропускания. В диапазоне длин волн λ = 0,275—0,5 мкм показатели преломления и поглощения пленок изменяются в пределах 2,49—2,14 и (9,0—0,1)⋅10-2, соответственно. Установлено, что скорость роста пленок зависит от знака потенциала смещения и характера тока питания магнетрона. Ширина запрещенной зоны пленкообразующего материала лежит в пределах 4,02—4,13 эВ.
Рассмотрены основные виды оптических покрытий с градиентом показателя преломления вдоль направления распространения света, структуры градиентных покрытий и вакуумно‐плазменные технологии их получения. Обсуждены преимущества метода импульсного реакционного магнетронного распыления и результаты его применения для нанесения субволнового покрытия с продольным наноградиентом показателя преломления.