Публикации автора

Рассмотрены особенности схемотехнического моделирования интегральных схем матричных мультиплексоров (ММ). Сформулированы основные требования, предъявляемые к средствам моделирования. Дано описание основных преимуществ симулятора ADiT, а также приведено сравнение точности и скорости моделирования относительно других программных продуктов.

Спроектирована микросхема считывания для линейки ИК‐фотодиодов на основе КРТ формата 6x576 c ВЗН в холодной зоне. Сдвиг между элементами в направлении, перпендикулярном сканированию, — 14 мкм. Топология кристалла разработана для КМОП‐технологии с проектными нормами 0,8 мкм, двумя уровнями поликремния и двумя уровнями металла.

Рассмотрена необходимость проведения экстракции паразитных параметров трассировки и посттопологического моделирования при проектировании интегральных схем матричных мультиплексоров. Приведено сравнение скорости экстракции и вклада паразитных элементов в инерционность схемы для различных режимов экстракции и моделей паразитных параметров. Показано, что роль паразитных элементов увеличивается с уменьшением проектных норм.

Отмечена тенденция к увеличению форматов и уменьшению размеров пикселей матричных фотоприемных устройств (ФПУ). Проведена оценка необходимых технологических норм, размеров кристалла и ожидаемого выхода годных интегральных схем (ИС) мультиплексоров для различных форматов и типов ФПУ. Показаны необходимость и пути технологической модернизации изготовления ИС мультиплексоров и проведена оценка необходимых финансовых затрат.

Спроектирована микросхема считывания для матрицы ИК‐фотодиодов на основе антимонида индия формата 640x512 с размером пикселя 24x24 мкм. Топология кристалла разработана для КМОП‐технологии с проектными нормами 0,8 мкм, одним уровнем поликремния и двумя уровнями металла.

Спроектирована микросхема считывания для матрицы ИК‐фотодиодов на основе InGaAs/InP формата 320x256 для приборов ночного видения. Топология кристалла разработана для КМОП‐технологии с проектными нормами 0,8 мкм, двумя уровнями поликремния и двумя уровнями металла.

Разработаны специализированные библиотеки для автоматизированного проектирования интегральных схем считывания и обработки сигналов фотоприемных устройств (ФПУ). Библиотеки разработаны для КМОП-технологии с двумя уровнями поликремния и двумя уровнями металла на топологические размерности 0,35; 0,6 и 1,0 мкм.

Рассмотрены БИС считывания с двумя типами построения ВЗН‐канала: с n-МОП‐регистром переноса заряда и с ячейками суммирования. Показано, что для качественной реализации ВЗН‐канала первого типа требуется использование специальной технологии, отличной от стандартного МОП‐процесса, который достаточен для изготовления БИС считывания второго типа.

Рассмотрены основные области применения и преимущества твердотельных матричных фотоприемных устройств для ультрафиолетовой области спектра. Рассмотрена типичная структура фоточувствительных элементов и принципы построения интегральной схемы считывания. Предложен вариант ячейки считыванияразмером 30x30 мкм на основе емкостного трансимпедансного усилителя. Приведена структурная схема аналогового канала разрабатываемой интегральной схемы (ИС) считывания. Представлено сравнение с аналогом.