Проектирование интегральной схемы считывания формата 6x576 с ВЗН в холодной зоне (2011)
Спроектирована микросхема считывания для линейки ИК‐фотодиодов на основе КРТ формата 6x576 c ВЗН в холодной зоне. Сдвиг между элементами в направлении, перпендикулярном сканированию, — 14 мкм. Топология кристалла разработана для КМОП‐технологии с проектными нормами 0,8 мкм, двумя уровнями поликремния и двумя уровнями металла.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№5 (2011)
Проектирование интегральной схемы считывания формата 320x256 для приборов ночного видения на основе тройных соединений (2011)
Спроектирована микросхема считывания для матрицы ИК‐фотодиодов на основе InGaAs/InP формата 320x256 для приборов ночного видения. Топология кристалла разработана для КМОП‐технологии с проектными нормами 0,8 мкм, двумя уровнями поликремния и двумя уровнями металла.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№2 (2011)
Структура фоточувствительных элементов и ИС считывания для матричных фотоприемных устройств ультрафиолетового диапазона (2012)
Рассмотрены основные области применения и преимущества твердотельных матричных фотоприемных устройств для ультрафиолетовой области спектра. Рассмотрена типичная структура фоточувствительных элементов и принципы построения интегральной схемы считывания. Предложен вариант ячейки считыванияразмером 30x30 мкм на основе емкостного трансимпедансного усилителя. Приведена структурная схема аналогового канала разрабатываемой интегральной схемы (ИС) считывания. Представлено сравнение с аналогом.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (2012)