Публикации автора

Представлены экспериментальные результаты по облучению ионами бора эпитаксиальных пленок КРТ с различными варизонными слоями в приповерхностной области материала. Показано, что наблюдаемые отличия результатов ионной имплантации в эпитаксиальные пленки МЛЭ КРТ с переменным составом в области внедрения имплантанта и объемный материал КРТ главным образом обусловлены различной динамикой накопления электрически активных радиационных дефектов и зависимостью электрофизических свойств материала от состава КРТ. Анализ распределения электрически активных дефектов по глубине облученного материала свидетельствует о том, что дополнительные факторы, связанные с наличием градиента состава в области внедрения имплантанта, не оказывают определяющего влияния на миграцию первичных радиационных дефектов.

Представлены расчеты нагрева кристалла CdxHg1-xTe (КРТ) с x = 0,22 в процессе ионнолучевого травления (ИЛТ) низкоэнергетическими ионами Ar+. Показано, что при хорошем тепловом контакте кристалла и охлаждаемого столика установки нагрев КРТ не превышает 0,2 оС. В случае полного отсутствия теплового контакта образца и столика радиационный нагрев кристалла может превышать 120 оС. Проведено сравнение нагрева КРТ в процессе ИЛТ Ar+ и ионной имплантации аргона.