Релаксация электрических свойств эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe: As(Sb), конвертированных в n-тип ионным травлением (2008)
Исследована релаксация электрических свойств легированных As и Sb эпитаксиальных слоев HgCdTe, подвергнутых ионному травлению (ИТ). Показано, что образованные при ИТ донорные комплексы, ответственные за конверсию типа проводимости материала из исходного p-типа в n-тип, являются нестабильными. Установлено, что процессом, ответственным за релаксацию, является распад донорных комплексов, начинающийся после окончания процесса ИТ и вызванный уменьшением концентрации атомов междоузельной ртути, образующихся при ИТ.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№4 (2008)