Научный архив: статьи

В факельном СВЧ‐разряде в струе аргон‐водород‐метановой смеси газов, истекающей в герметичную камеру при давлении, близком к атмосферному, на подложках из кварца, сплава ВК-6 и молибдена получены алмазные пленки различной структуры методом плазменно‐газофазного осаждения. Представлены изображения структуры пленок и спектры их комбинационного рассеяния. Оптические спектры плазмы в условиях роста пленок показали присутствие интенсивного излучения линии Hα водорода и полос радикала С2.

Получен эпитаксиальный рост алмазной монокристаллической пленки в факельном СВЧ-разряде, возбуждаемом магнетроном бытовой микроволновой печи мощностью ≤ 1 кВт, в газовой смеси аргон—водород с высоким содержанием метана (до 25 % к водороду) при атмосферном давлении на подложке из синтетического монокристалла алмаза (HPHT) с ориентацией (100) и размером ~ 4x4 мм. Показано, что разряд с диаметром факела ~2 мм и концентрацией СВЧ-мощности, поглощаемой в объеме факела >103 Вт/см3, эффективен для эпитаксиального наращивания слоев на монокристаллах синтетического алмаза. Структура осажденной пленки толщиной до 10 мкм качественной морфологии исследована оптическим микроскопом, а также методами комбинационного рассеяния и растровой электронной микроскопии.