Научный архив: статьи

Представлены результаты измерений электрофизических параметров коммерчески доступных монокристаллических подложек p-GaSb в диапазоне температур 80–300 К. Выполнен сравнительный анализ полевых и температурных зависимостей холловского сопротивления с учетом вырождения валентной зоны и без него. Продемонстрированы ограничения использования стандартной модели, полагающей наличие лишь одного типа дырок, для описания транспортных свойств p-GaSb. Установлено, что немонотонная температурная зависимость сопротивления пластин обусловлена монотонным изменением концентраций и подвижностей свободных дырок. На основе анализа в рамках модели, учитывающей вклады легких и тяжелых дырок, оценена темпера-турная зависимость химического потенциала материала подложки. Полученные данные служат базой для дальнейшего конструирования фоточувствительных гетероструктур на основе изученных подложек.