Статья: Определение параметров легких и тяжелых дырок в монокристаллах p-GaSb на основе комплексного анализа эффекта Холла (2026)

Читать онлайн

Представлены результаты измерений электрофизических параметров коммерчески доступных монокристаллических подложек p-GaSb в диапазоне температур 80–300 К. Выполнен сравнительный анализ полевых и температурных зависимостей холловского сопротивления с учетом вырождения валентной зоны и без него. Продемонстрированы ограничения использования стандартной модели, полагающей наличие лишь одного типа дырок, для описания транспортных свойств p-GaSb. Установлено, что немонотонная температурная зависимость сопротивления пластин обусловлена монотонным изменением концентраций и подвижностей свободных дырок. На основе анализа в рамках модели, учитывающей вклады легких и тяжелых дырок, оценена темпера-турная зависимость химического потенциала материала подложки. Полученные данные служат базой для дальнейшего конструирования фоточувствительных гетероструктур на основе изученных подложек.

In this work we present the results of measurements of electrophysical parameters of commercially available single-crystal p-GaSb substrates in the temperature range of 80–300 K. We perform comparative analysis of temperature and field dependences of Hall resistivity with and without taking into account the degeneracy of the valence band. The limitations of applicability of the standard model, which assumes the existence of only one type of holes, for describing transport properties of p-GaSb are shown. It is shown that non-monotonic temperature dependence of substrates resistivity arises due to monotonic change of carrier concentrations and mobilities. Basing on the results of the analysis using model, which takes into account contributions of light and heavy holes, we estimated the variation of the chemical potential in substrate material with temperature. The obtained results are necessary for further design of photosensitive heterostructures, obtained using studied substrates

Ключевые фразы: антимонид галлия, дырочная проводимость, полупроводниковые подложки, эффект хол-ла, магнетосопротивление, многозонные полупроводники
Автор (ы): Овешников Леонид Николаевич (Oveshnikov L. N.), Давыдов Александр Борисович, Чернопицский Максим Александрович, Фельде Анастасия Александровна, Минаев Илья Иванович, Клековкин Алексей Владимирович, Кривобок Владимир Святославович
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
538.935. электронные
Для цитирования:
ОВЕШНИКОВ Л. Н., ДАВЫДОВ А. Б., ЧЕРНОПИЦСКИЙ М. А., ФЕЛЬДЕ А. А., МИНАЕВ И. И., КЛЕКОВКИН А. В., КРИВОБОК В. С. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЛЕГКИХ И ТЯЖЕЛЫХ ДЫРОК В МОНОКРИСТАЛЛАХ P-GASB НА ОСНОВЕ КОМПЛЕКСНОГО АНАЛИЗА ЭФФЕКТА ХОЛЛА // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2026. №3
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.