Механизмы токопереноса фотодиодов на основе ГЭС КРТ МЛЭ для спектрального диапазона 8—12 мкм (2009)
Проведены исследования механизмов токопереноса фотодиодов типа n+-n–-p и n+-p, полученных при ионном легировании бором гетероэпитаксиальных слоев (ГЭС) теллурида кадмия и ртути (КРТ) р-типа проводимости, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Результаты моделирования характеристик токопереноса при Т = 77 К показали, что темновой ток изготовленных фотодиодов типа n+-n–-p лимитируется диффузионным током в переходе и током через уровень ловушек донорного типа в запрещенной зоне с энергией Et = 0,7 Eg.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№2 (2009)
Неохлаждаемый фотовольтаический преобразователь ИК-диапазона на основе CdхHg1-хTe/Si (х = 0,3) (2011)
Предложен неохлаждаемый приемник ИК‐излучения на базе напряженной гетероструктуры Cd0,3Hg0,7Te/(310)Si. Фото‐ЭДС прототипа показывает зависимость от интенсивности падающего излучения I и его спектрального состава I(λ) на уровне D* ~ 3-108 (Вт∙см∙Гц1/2) при 300 К. Обсуждается роль пьезосвойств пленки узкозонного полупроводника гетероструктуры Cd0,3Hg0,7Te/Si. Проведено физическое моделирование диффузионно‐дрейфовой модели для пленки Cd0,3Hg0,7Te при 300 К.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№4 (2011)