Научный архив: статьи

Представлен анализ оптических свойств поликристаллических фоточувствительных пленок на основе сульфида свинца (PbS), полученных химическим методом осаждения в присутствии прекурсоров: окислителя – дихромата калия (K2Cr2O7) в молярном содержании от 10–5 моль/л до 10–4 моль/л и йодида аммония (NH4I) в содержании 0,2 моль/л. Методами атомно-силовой и сканирующей электронной микроскопии установлено, что образцы, полученные в присутствии прекурсора K2Cr2O7, обладают типичной морфологией для соединения PbS. При добавлении в реакционную ванну NH4I наблюдается сглаживание морфологии поверхности и уменьшение среднего размера кристаллитов, что приводит к увеличению коэффициента отражения, а также к увеличению ширины запрещенной зоны до 0,44–0,47 эВ по сравнению с образцами, осажденными из реакционной ванны с окислителем, для которых Eg составляет 0,37–0,41 эВ

Приведены результаты разработки стенда, предназначенного для автоматизированного измерения параметров матричных фотоприемных устройств на основе InGaAs. Стенд позволяет проводить измерения удельной обнаружительной способности, вольтовой чувствительности, динамического диапазона, а также проводить поиск дефектных элементов. В статье рассмотрены вопросы отличия методик измерения параметров фотоприемных устройств первого и второго поколений, приведены методики расчета параметров матричных фотоприемных устройств на основе InGaAs.

Приборы ночного видения с расширенной областью чувствительности от 0,4 мкм до 2,0 мкм имеют важнейшее значение для научных, гражданских и специальных применений. Приведены архитектура и основные характеристики матричного фотосенсора формата 640512 (шаг 15 мкм) с расширенной областью чувствительности (0,4–2,0 мкм), разработанного на основе коллоидных квантовых точек ККТ PbS. Основная часть фототока генерируется в слое ККТ n-PbS-TBAI. Этот слой изготовлен путем замены исходного лиганда (олеиновая кислота) на йод при обработке слоя ККТ иодидом тетра-н-бутиламмония (TBAI). Слой, блокирующий электроны (транспортный слой для дырок), создавался на основе p-NiOx. Слой, блокирующий дырки (транспортный слой для электронов), изготавливался на основе n-ZnO.