Воздействие ионизирующего излучения на электрические и фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе CdxHg1-xTe (2007)
Изучено воздействие импульсного гамма-излучения и нейтронного облучения на фотоэлектрические и электрофизические свойства р-n-переходов в СdxHg1-xTe (x), полученных диффузией различных элементов (Cu, Ag, Au, Hg, Pt), а также ионной имплантацией различных ионов (В+, Аl+, P+). Показано, что электрические и фотоэлектрические характеристики ионно-имплантационных р-n-переходов значительно улучшаются после радиационного облучения, в то время как свойства диффузионных фотодиодов существенно не изменились.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№4 (2007)
Неохлаждаемый ФЭМ-детектор на основе CdHgTe для приема СО2-лазерного излучения (2007)
Рассмотрены состояние и перспективы развития неохлаждаемых фотоэлектромагнитных приемников излучения на основе КРТ-соединений.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№2 (2007)
Влияние отжига на свойства эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe с анодным окислением (2008)
Исследовано влияние термического отжига на свойства поверхности эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№4 (2008)