Научный архив: статьи

Изучено воздействие импульсного гамма-излучения и нейтронного облучения на фотоэлектрические и электрофизические свойства р-n-переходов в СdxHg1-xTe (x), полученных диффузией различных элементов (Cu, Ag, Au, Hg, Pt), а также ионной имплантацией различных ионов (В+, Аl+, P+). Показано, что электрические и фотоэлектрические характеристики ионно-имплантационных р-n-переходов значительно улучшаются после радиационного облучения, в то время как свойства диффузионных фотодиодов существенно не изменились.