Научный архив: статьи

Исследованы четыре образца молекулярно‐лучевой эпитаксии (МЛЭ) CdxHg1-xTe, имеющих одинаковый состав х = 0,22, но различные концентрации электронов, причем часть из них имела на поверхности широкозонный варизонный слой. Диэлектриком в МДП‐струк-турах служил анодный окисел. Для коррекции экспериментально измеренных вольт-фарадных характеристик (ВФХ) в целях исключения влияния базового сопротивления предложена соответствующая процедура. Для одного из образцов определено генерационное сопротивление области пространственного заряда МДП‐структуры, находящейся в режиме сильной инверсии.

Изучено влияние anti-debiasing подслоя на электрические характеристики и фотоответ дефектных и недефектных фотоэлементов в длинноволновых фотоприёмных устройствах (ФПУ) на основе материала кадмий-ртуть-теллур. Показано, что наиболее ярким следствием наличия в структуре фотоэлементов матрицы паразитного диода с p–n-переходом на границе фоточувствительной плёнки с anti-debiasing подслоем является возникновение отрицательного фотоответа дефектных фотоэлементов ФПУ.