Научный архив: статьи

Исследованы фотодиоды Шоттки Au—n-GaP (толщина Au ~10 нм) при высоких температурах. Показано, что при температурах выше 70 ° С последовательное сопротивление фотодиода растет необратимо. Отжиг фотодиодов при Т = +125 ° С способен увеличить квантовую эффективность фотодиода на 66 %, температура Т = +300 ° С является предельной для таких фотодиодов. Деградация фотодиодов Шоттки (ФДШ) связана с температурным изменением структуры Au-пленки на поверхности полупроводника.

Исследованы фотодиоды с p-n-переходом на основе GaP. Приведены температурные зависимости токовой чувствительности в диапазоне от -183 до +500 С. При изменении температуры в указанном диапазоне максимум спектральной чувствительности смещается от 430 до 510 нм, а токовая чувствительность возрастает от 0,044 до 0,13 А/Вт. Изменение чувствительности связано с температурной зависимостью коэффициента поглощения GaP. До температуры +200 оС в фотодиодах преобладает генерационнорекомбинационный ток, а свыше +220 оС — диффузионный ток.

Представлены результаты исследования воздействия высокой температуры на свойства полупрозрачных слоев золота, используемых при изготовлении фотодиодов Шоттки. Показано влияние высокой температуры на удельное сопротивление и оптическое пропускание Auпленок толщиной 8÷21 нм. Также показано изменение структуры Au-пленки толщиной 10 нм при воздействии высокой температуры. На основании представленных данных делается вывод, что температура 300С является предельной температурой для фотодиодов Шоттки с золотым барьерным контактом, при превышении которой резко возрастает необратимая деградация фотодиодов.