Статья: Свойства фотодиодов Шоттки Au—n-GaP при высоких температурах (2009)

Читать онлайн

Исследованы фотодиоды Шоттки Au—n-GaP (толщина Au ~10 нм) при высоких температурах. Показано, что при температурах выше 70 ° С последовательное сопротивление фотодиода растет необратимо. Отжиг фотодиодов при Т = +125 ° С способен увеличить квантовую эффективность фотодиода на 66 %, температура Т = +300 ° С является предельной для таких фотодиодов. Деградация фотодиодов Шоттки (ФДШ) связана с температурным изменением структуры Au-пленки на поверхности полупроводника.

Shottky Photodiodes Au—n-GaP (Au thickness is 10 nm) have been investigated at high temperatures. Photodiode resistivity grows irreversible at a temperature above 70 °С. Annealing at 125 °С can increase photodiodes quantum efficiency up to 66 %. Limiting temperature for such photodiodes is 300 °С. The photodiode degradation with temperature is related to Au-film structure on a semiconductor surface change.

Ключевые фразы: фотодиоды, полупроводники, физика
Автор (ы): Рудневский Владимир Сергеевич (Rudnevskiy V. S.), Стафеев В. И.
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.383. Фотоэлектроника
Для цитирования:
РУДНЕВСКИЙ В. С., СТАФЕЕВ В. И. СВОЙСТВА ФОТОДИОДОВ ШОТТКИ AU—N-GAP ПРИ ВЫСОКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2009. №3
Текстовый фрагмент статьи
Моя история просмотров (10)
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.