Проведен анализ инфракрасных “собственных” и в отраженных лучах (λ = 2,9 мкм) изображений флип-чип-светодиодов на основе p-InAsSbP/n—InAsSbP/n+—InAs, включая изображения, получаемые при прямом и обратном смещениях p-n-перехода. Дана оценка коэффициентов отражения от омических контактов и сделаны предположения о соотношении величин контактного и объемного сопротивлений.
В работе приведены результаты исследований электролюминесценции и фотоэлектрических свойств монолитной диодной матрицы 33 на основе одиночной гетероструктуры р-InAsSbP/n-InAs/n+-InAs, чувствительной/излучающей на длинах волн вблизи 3,3 мкм в области рабочих температур -20….+80 оС. Рассмотрены возможности формирования как положительного, так и отрицательного эквивалента теплового контраста.