РАЗРАБОТКА ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ GaInAs/AlGaInAs ДЛЯ ИК-ФОТОПРИЕМНИКОВ, ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ В СПЕКТРАЛЬНЫХ ДИАПАЗОНАХ 3-5 И 8-12 МКМ
В работе проведен расчет оптимальной геометрии квантовых ям в гетероструктурах InGaAs/AlGaInAs, согласованных с подложкой InP, для создания двухдиапазонных ИК-фотоприемников, чувствительных одновременно в окнах прозрачности 3–5 и 8–12 мкм. На основе решения уравнения Шредингера установлены зависимости положения максимума фоточувствительности от толщины ямы и состава барьера, при этом показано, что выбор параметров вблизи минимума расчетных кривых позволяет оптимизировать тип внутризонных переходов для достижения максимальной обнаружительной способности.
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ GaInAs/AlGaInAs/InP ДЛЯ ИК-ФОТОПРИЕМНИКОВ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 3-5 И 8-12 МКМ
В работе проведена расчетная оценка и экспериментальная реализация напряженно-согласованных гетероструктур с квантовыми ямами GaInAs/AlGaInAs на подложках InP, позволяющих устранить дефектообразование, характерное для несогласованной системы InGaAs/AlGaAs. Показано, что оптимальный подбор толщины квантовых ям и состава барьеров обеспечивает фоточувствительность в требуемых диапазонах 3–5 и 8–12 мкм, что открывает перспективы создания высококачественных двухспектральных матричных ИК-фотоприемников.
РАЗРАБОТКА ИК-ФОТОПРИЕМНИКОВ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ GaInAs/AlGaInAs, РАБОТАЮЩИХ В СПЕКТРАЛЬНЫХ ДИАПАЗОНАХ 3-5 И 8-12 МКМ
В работе проведен расчет геометрии квантовых ям в гетероструктурах GaInAs/AlGaInAs, согласованных с подложкой InP, для создания двухспектральных ИК-фотоприемников, работающих в окнах прозрачности 3–5 и 8–12 мкм. Установлены оптимальные соотношения толщины ямы и состава барьера, обеспечивающие внутризонные переходы вблизи минимума энергетических кривых, что позволяет перекрыть весь длинноволновый диапазон (8–14 мкм) и часть средневолнового (до 3.5 мкм).