Научный архив: статьи

Приведены результаты экспериментального исследования свойств фотодиодных структур на основе CdxHg1-xTe (0,2 ≤ x ≤ 0,3), изготовленных методом обработки поверхности материала р-типа ионами индия с энергией 1—5 кэВ и ионами аргона с энергией 250 эВ. На основе анализа электрических и фотоэлектрических свойств полученных структур сделан вывод о более качественных структурах, полученных при обработке ионами индия, чем при обработке ионами аргона. Сделано предположение, что это связано с меньшими на два порядка дозами облучения ионами индия, необходимыми для формирования инверсного слоя, чем дозами облучения ионами аргона.