Использование планарного магнетрона для напыления ферромагнитных пленок микронной и нанометровой толщины (2010)
Представлен планарный магнетрон на постоянном токе с толстой никелевой, железной или стальной мишенью для напыления ферромагнитных пленок на подложку. Мишень нагревалась магнетронным разрядом выше магнитной температуры Кюри. Измерены вольт-амперные характеристики (ВАХ), скорости распыления мишени, а также осаждения пленок на подложки и электропроводности пленок.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№3 (2010)
Влияние вольфрама на скорость поверхностной рекомбинации в кремнии (2018)
Проведено исследование влияния вольфрама на время релаксации фотопроводимости в кремнии. Была выяснена роль вольфрама на скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда в кремнии после термообработки. Определены скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в кремнии после термообработки в присутствии вольфрама и без него. Получено аномальное уменьшение скорости поверхностной рекомбинации носителей заряда в кремнии в присутствии вольфрама. Дано возможное объяснение этого явления.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№3 (2018)