Научный архив: статьи

В обзоре представлены результаты исследований влияния состава на структуру, ширину запрещенной зоны, а также на времена жизни фотогенерированных носителей тока в новых полупроводниковых соединениях – Cu2-δASnS4 (A = Mg, Ca, Sr, Ba), полученных методом твердофазного синтеза в замкнутом объеме. Установлено, что наиболее стабильными являются Cu2-δSrSnS4 и Cu2-δBaSnS4 с тригональной структурой (P31). При этом наибольшие из времен жизни фотогенерированных носителей тока характерны для Cu2-δSrSnS4.

Изучено влияние стехиометрии и условий синтеза на фазовый состав, структуру и электрофизические свойства тонких пленок халькопиритов AgxCu1-xGaSe2 на подлож-ках Mo/MoOx.. Установлено, что для получения однофазных пленок наиболее оптима-лен отжиг в парах селена при T = 650 °C в течение времени от 15 мин до 30 мин. Для фотокатодов со структурой Mo/MoOx/Ag0.9Cu0.1GaSe2 получено рекордное значе-ние плотности фототока 1.763 мА/см2 (при Е = -0.517 В относительно 3М хлорсереб-ряного электрода) в условиях освещения, близких к AM1.5, по сравнению с устрой-ствами на основе подобных халькопиритов, описанных в мировой литературе.