Научный архив: статьи

Исследована частотно‐ваттная характеристика импульсного твердотельного лазера с диодной накачкой и пассивной модуляцией добротности резонатора, отражающая зависимость частоты импульсов генерации лазера от поглощенной мощности накачки. В качестве активного элемента лазера использовались кристаллы YAG: Nd 3+ и CGGG: Nd 3+, а в качестве пассивного модулятора — кристалл YAG: Cr4+.

Исследовано ограничение снизу частоты импульсов генерации твердотельного лазера с диодной накачкой и пассивным модулятором в резонаторе, обусловленное джиттером периода следования импульсов. Показано, что нижнюю частоту импульсов генерации можно выразить через параметры джиттера и коэффициент, зависящий от требований к стабильности этой частоты.