Влияние пленки Si3N4, осажденной в плотной плазме, на темновой ток и стабильность планарного InGaAs/InP pin-ФД (2007)
Представлены результаты воздействия пленки Si3N4, осажденной в плотной плазме, на темновой ток и стабильность планарного InGaAs/InP pin-ФД. Указаны режимы осаждения пленки из смеси азота с моносиланом и параметры полученной пленки. Технология осаждения пленки Si3N4 обеспечивает получение и стабилизацию плотности темнового тока планарного InGaAs/InP pin-ФД на уровне 10-5—10-6 А/см2, в том числе и при повышенной температуре.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№1 (2007)