ИК-изображения флип-чип-диодов на основе InAsSbP в спектральной области 3 мкм (2008)
Проведен анализ инфракрасных “собственных” и в отраженных лучах (λ = 2,9 мкм) изображений флип-чип-светодиодов на основе p-InAsSbP/n—InAsSbP/n+—InAs, включая изображения, получаемые при прямом и обратном смещениях p-n-перехода. Дана оценка коэффициентов отражения от омических контактов и сделаны предположения о соотношении величин контактного и объемного сопротивлений.
Издание:
ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА
Выпуск:
№6 (2008)