Войти Регистрация

Рабочий стол Мессенджер Мои работы Моя библиотека Мои контакты Мои группы Мои подписки Мои конференции Мои фотографии Добавить Мои формулы Мой словарь Мои закладки Моя история

Чтобы продолжить, войдите в аккаунт или зарегистрируйтесь.

Приложение
на телефон

Ключевая фраза: InGaAs

Материалы

Ниже приведен список материалов, найденных в базе данных SCI.RU, с ключевым словом «InGaAs».

Статьи: 28

01.Матричные планарные и мезаструктуры на основе гетероэпитаксиальных слоев InGaAs (2013)

Сохранить в закладках

Журнал:

ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Автор(ы):

Болтарь К., Чинарева И. В., Лопухин А. А., Яковлева Н. И.

02.Влияние плазмохимической обработки на электрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InGaAsP/InP (2014)

Сохранить в закладках

Журнал:

ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Автор(ы):

Андреев Д. С., Будтолаева А. К., Огнева О. В., Чинарева И. В.

03.Исследование фотодиодных лавинных элементов матричных фотоприемных устройств на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs (2014)

Сохранить в закладках

Журнал:

УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Автор(ы):

Яковлева Н. И., Болтарь К., Седнев М. В.

04.Аналитическая модель МФПУ для коротковолнового диапазона ИК-спектра 0,9—1,7 мкм (2014)

Сохранить в закладках

Журнал:

УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Автор(ы):

Патрашин А. И., Балиев Д. Л., Болтарь К., Бурлаков И. Д., Лазарев П. С., Полунеев В. В., Яковлева Н. И.

05.Исследование темновых токов в мезаструктурных матрицах на основе InGaAs (2015)

Сохранить в закладках

Журнал:

УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Автор(ы):

Яковлева Н. И., Болтарь К., Седнев М. В.

06.Особенности гетероструктур InGaAs/InP, предназначенных для изготовления быстродействующих фотоприемных устройств коротковолнового диапазона ИК-спектра (2014)

Сохранить в закладках

Журнал:

ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Автор(ы):

Коротаев Е. Д., Яковлева Н. И., Мирофянченко А. Е., Ляликов А. В.

07.Исследование фотоэлектрических параметров фотоприемного модуля формата 320×256 на основе InGaAs (2014)

Сохранить в закладках

Журнал:

ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Автор(ы):

Балиев Д. Л., ЛАЗАРЕВ П. С., Болтарь К.

08.Исследование точности измерения спектральной характеристики методом Монте-Карло матричных ИК-фотоприемников диапазона 0,9-1,7 мкм (2015)

Сохранить в закладках

Журнал:

ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Автор(ы):

Деомидов А. Д., Полесский А. В., Семенченко Н. А., Тресак В. К., СМИРНОВ А. А.

09.Исследование фотоэлектрической взаимосвязи элементов матричных ФП на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs (2015)

Сохранить в закладках

Журнал:

ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Автор(ы):

Седнев М. В., Болтарь К., Иродов Н. А., Демидов С. С.

10.Лавинный матричный фотомодуль формата 320×256 элементов на основе тройных соединений группы А3В5 с поглощающим слоем InGaAs и барьерным слоем InAlAs (2015)

Сохранить в закладках

Журнал:

ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Автор(ы):

Яковлева Н. И., Болтарь К., Седнев М. В., Лопухин А. А., Коротаев Е. Д.

11.Матричные лавинные фотодиоды на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs/InAlAs/InP с разделенными областями поглощения и умножения (2016)

Сохранить в закладках

Журнал:

УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Автор(ы):

Яковлева Н. И., Болтарь К., Иродов Н. А., Климанов Е. А.

12.Исследование свойств фотоприемных устройств на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs, предназначенных для формирователей 3D-изображений (2016)

Сохранить в закладках

Журнал:

УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Автор(ы):

Яковлева Н. И., Болтарь К., Седнев М. В., Никонов А. В.

13.Особенности спектральных зависимостей поглощения в структурах А3В5 и А2В6 (2016)

Сохранить в закладках

Журнал:

УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Автор(ы):

Яковлева Н. И., Никонов А. В.

14.Исследование кривизны поверхности гетероэпитаксиальных структур InP/InGaAs, Al2O3/AlxGa1-xN (2016)

Сохранить в закладках

Журнал:

ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Автор(ы):

Шаронов Ю. П., Макарова Э. А., Седнев М. В., Ладугин М. А., Яроцкая И. В.

15.Исследования спектральных зависимостей коэффициента поглощения в слоях InGaAs (2016)

Сохранить в закладках

Журнал:

ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Автор(ы):

Яковлева Н. И., Никонов А. В.

16.Вольт-амперные характеристики nBp-структур с поглощающим слоем In0,53Ga0,47As (2017)

Сохранить в закладках

Журнал:

УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Автор(ы):

Седнев М. В., Болтарь К., Иродов Н. А., Демидов С. С.

17.Исследование фотодиодов с граничной длиной волны до 2,06 мкм на основе структур InGaAs (2017)

Сохранить в закладках

Журнал:

ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Автор(ы):

Болтарь К., Иродов Н. А., Седнев М. В., Мармалюк А. А., Ладугин М. А., Рябоштан Ю. Л.

18.Перспективные фоточувствительные материалы для фотоприемников ИК-диапазона (Обзор) (2025)

Сохранить в закладках

Журнал:

УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Автор(ы):

Яковлева Н. И., Болтарь К., Бурлаков И. Д.

19.Фотоприемное устройство коротковолнового ИК-диапазона формата 640512 элементов с увеличенным динамическим диапазоном (2018)

Сохранить в закладках

Журнал:

УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Автор(ы):

Кузнецов П. А., Мощев И. С.

20.Сигнальные и шумовые характеристики элементов МФПУ формата 640512 SWIR-диапазона (2018)

Сохранить в закладках

Журнал:

УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Автор(ы):

Моисеев А. М., Новиков П. Е.

21.Униполярные полупроводниковые барьерные структуры для матричных фотоприемных устройств ИК-диапазона (обзор) (2019)

Сохранить в закладках

Журнал:

УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Автор(ы):

Бурлаков И. Д., Кульчицкий Н. А., Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Горн Д. И.

22.Исследование скорости травления nBp-гетероструктур на основе InGaAs (2018)

Сохранить в закладках

Журнал:

ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Автор(ы):

Трухачева Н. С., Седнев М. В., Трухачев А. В., Макарова Э. А., Наумова К. В.

23.Плазмохимическое травление двухслойной маски молибден-фоторезист (2019)

Сохранить в закладках

Журнал:

ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Автор(ы):

Трухачева Н. С., Седнев М. В., Трухачев А. В., Ляликов А. В.

24.Перспективы развития твердотельной фотоэлектроники (2025)

Сохранить в закладках

Журнал:

УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Автор(ы):

Яковлева Н., Болтарь К., Бурлаков И., Старцев В. В.

25.Исследование времени жизни неосновных носителей заряда в структурах на основе InGaAs (2019)

Сохранить в закладках

Журнал:

УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Автор(ы):

Яковлева Н., Никонов А. В.

26.Активные оптические системы с усилителями яркости коротковолнового ИК-диапазона (2020)

Сохранить в закладках

Журнал:

УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Автор(ы):

Тригуб М. В., Бурлаков И. Д., Шиянов Д. В.

27.Фотосенсорика коротковолнового ИК-диапазона спектра (2021)

Сохранить в закладках

Журнал:

УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ

Автор(ы):

Болтарь К., Бурлаков И., Яковлева Н., Полесский А. В., Седнев М. В., Кузнецо П. А., Рудневский В. С.

28.Спектроскопия полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур на основе InGaAs для разработки фотоприемных устройств ближнего ИК-диапазона (2023)

Сохранить в закладках

Журнал:

ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Автор(ы):

Косякова А. М., Ковшов В. С.

SCI Библиотека: 24

01.Статья: Влияние плазмохимической обработки на электрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InGaAsP/InP (2014)

Автор(ы):

Андреев Д. С., Будтолаева А. К., Огнева О. В., Чинарева И. В.

02.Статья: Исследование точности измерения спектральной характеристики методом Монте-Карло матричных ИК-фотоприемников диапазона 0,9-1,7 мкм (2015)

Автор(ы):

Деомидов А. Д., Полесский А. В., Семенченко Н. А., Тресак В. К., СМИРНОВ А. А.

03.Статья: Исследование фотоэлектрической взаимосвязи элементов матричных ФП на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs (2015)

Автор(ы):

Седнев М. В., Болтарь К., Иродов Н. А., Демидов С. С.

04.Статья: Лавинный матричный фотомодуль формата 320×256 элементов на основе тройных соединений группы А3В5 с поглощающим слоем InGaAs и барьерным слоем InAlAs (2015)

Автор(ы):

Яковлева Н. И., Болтарь К., Седнев М. В., Лопухин А. А., Коротаев Е. Д.

05.Статья: Матричные лавинные фотодиоды на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs/InAlAs/InP с разделенными областями поглощения и умножения (2016)

Автор(ы):

Яковлева Н. И., Болтарь К., Иродов Н. А., Климанов Е. А.

06.Статья: Исследование свойств фотоприемных устройств на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs, предназначенных для формирователей 3D-изображений (2016)

Автор(ы):

Яковлева Н. И., Болтарь К., Седнев М. В., Никонов А. В.

07.Статья: Особенности спектральных зависимостей поглощения в структурах А3В5 и А2В6 (2016)

Автор(ы):

Яковлева Н. И., Никонов А. В.

08.Статья: Исследование кривизны поверхности гетероэпитаксиальных структур InP/InGaAs, Al2O3/AlxGa1-xN (2016)

Автор(ы):

Шаронов Ю. П., Макарова Э. А., Седнев М. В., Ладугин М. А., Яроцкая И. В.

09.Книга: Properties of Semiconductor Alloys. Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (2009)

Автор(ы):

Sadao Adachi

10.Книга: Ternary Alloys Based on III-V Semiconductors (2018)

Автор(ы):

Vasyl Tomashyk

11.Статья: Исследования спектральных зависимостей коэффициента поглощения в слоях InGaAs (2016)

Автор(ы):

Яковлева Н. И., Никонов А. В.

12.Статья: Вольт-амперные характеристики nBp-структур с поглощающим слоем In0,53Ga0,47As (2017)

Автор(ы):

Седнев М. В., Болтарь К., Иродов Н. А., Демидов С. С.

13.Статья: Исследование фотодиодов с граничной длиной волны до 2,06 мкм на основе структур InGaAs (2017)

Автор(ы):

Болтарь К., Иродов Н. А., Седнев М. В., Мармалюк А. А., Ладугин М. А., Рябоштан Ю. Л.

14.Статья: Перспективные фоточувствительные материалы для фотоприемников ИК-диапазона (Обзор) (2025)

Автор(ы):

Яковлева Н. И., Болтарь К., Бурлаков И. Д.

15.Статья: Фотоприемное устройство коротковолнового ИК-диапазона формата 640512 элементов с увеличенным динамическим диапазоном (2018)

Автор(ы):

Кузнецов П. А., Мощев И. С.

16.Статья: Сигнальные и шумовые характеристики элементов МФПУ формата 640512 SWIR-диапазона (2018)

Автор(ы):

Моисеев А. М., Новиков П. Е.

17.Статья: Униполярные полупроводниковые барьерные структуры для матричных фотоприемных устройств ИК-диапазона (обзор) (2019)

Автор(ы):

Бурлаков И. Д., Кульчицкий Н. А., Войцеховский А. В., Несмелов С. Н., Дзядух С. М., Горн Д. И.

18.Статья: Исследование скорости травления nBp-гетероструктур на основе InGaAs (2018)

Автор(ы):

Трухачева Н. С., Седнев М. В., Трухачев А. В., Макарова Э. А., Наумова К. В.

19.Статья: Плазмохимическое травление двухслойной маски молибден-фоторезист (2019)

Автор(ы):

Трухачева Н. С., Седнев М. В., Трухачев А. В., Ляликов А. В.

20.Статья: Перспективы развития твердотельной фотоэлектроники (2025)

Автор(ы):

Яковлева Н., Болтарь К., Бурлаков И., Старцев В. В.

21.Статья: Исследование времени жизни неосновных носителей заряда в структурах на основе InGaAs (2019)

Автор(ы):

Яковлева Н., Никонов А. В.

22.Статья: Активные оптические системы с усилителями яркости коротковолнового ИК-диапазона (2020)

Автор(ы):

Тригуб М. В., Бурлаков И. Д., Шиянов Д. В.

23.Статья: Фотосенсорика коротковолнового ИК-диапазона спектра (2021)

Автор(ы):

Болтарь К., Бурлаков И., Яковлева Н., Полесский А. В., Седнев М. В., Кузнецо П. А., Рудневский В. С.

24.Статья: Спектроскопия полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур на основе InGaAs для разработки фотоприемных устройств ближнего ИК-диапазона (2023)

Автор(ы):

Косякова А. М., Ковшов В. С.

Функция копирования доступна только авторизованным пользователям. Зарегистрируйтесь или войдите в свой аккаунт.