Доклад: ИК-фоторезисторы на основе гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами

Докладчик
Давлетшин Ренат Валиевич
АО ″НПО ″ОРИОН″
Автор(ы)
Давлетшин Р.В.
Соавтор(ы)
Болтарь К.О., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Трухачев А.В., Менщиков Р.В., Ремесник В.Г., Кучин Д.С.
Тип доклада
Устный

Видео запись

Видео доклада доступно только авторизованным пользователям.

Статистика доклада

Статистика просмотров за 2025 - 2026 год.

Обсуждение доклада

Новых тем пока нет

Создайте тему для обсуждения, если у вас есть вопросы или предложения по докладу.

Другие доклады секции: 10
09:40 | PECVD-СИНТЕЗ ПЛЕНОК КРТ ДЛЯ ИК-ДЕТЕКТОРОВ
Телегин Сергей Владимирович•Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
11:00 | Кофе-брейк
11:45 | Синтез высокочистых базовых материалов для опто и фотоэлектроники
Мочалов Леонид Александрович•Нижегородский государственный университет имени Н.И. Лобачевского
12:00 | ИК-фоторезисторы на основе гетероструктур HgCdTe с множественными квантовыми ямами
Давлетшин Ренат Валиевич•АО ″НПО ″ОРИОН″
12:45 | Дискуссии, вопросы
13:00 | Обед