Статья: Метод расчета параметров ИК матричного фотоприемного устройства
Разработан метод расчета фотоэлектрических параметров ИК матричного фотоприемного устройства (МФПУ) на основе фотодиодов, работающих в режиме накопления, с использованием характеристик, экспериментально измеряемых на фоточувствительных сборках МФЧЭ—мультиплексор. В качестве исходных характеристик фоточувствительных элементов (ФЧЭ) использованы размеры ax, by, темновой ток Id, накопительная емкость Cac, квантовая эффективность п, спектральный диапазон чувствительности λ1, λ2, напряжение перезарядки емкости накопления Е0. Выведены аналитические выражения для расчета максимального времени накопления τmax, токовой чувствительности Si, ограниченной шумом облученности (NEI) и мощности (NEP), удельной обнаружительной способности D*, динамического диапазона и ограниченной шумом разности температур (NETD). Из выведенных аналитических выражений можно строить зависимости указанных параметров от измеряемых характеристик и температуры внешней среды.
Информация о документе
- Формат документа
- Кол-во страниц
- 1 страница
- Загрузил(а)
- Лицензия
- —
- Доступ
- Всем
Информация о статье
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.