Статья: Влияние у-облучения на электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов p-TlInSe2 /n-TlSe

Рассматривается влияние γ‐квантов на механизм переноса тока в гетероструктуре p-TlInSe2/n-TlSe<Ge>. Выявлено, что взаимодействие радиационных дефектов с исходными дефектами кристаллов приводит к перестройке и перераспределению дефектов на границе раздела гетероперехода. Это сводится к незначительному изменению генерационнорекомбинационных процессов в механизмах токопереноса. Аномальные дозовые зависимости характеристик гетеропереходов объяснены изменением степени компенсации уровней на границе раздела и в базе структуры.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
—
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
1996-0948
EISSN
2949-561X
Журнал
Прикладная физика
Год публикации
2011
Автор(ы)
Абасова А. З., Мадатов Р. С., Наджафов А. И., Газанфаров М. Р.
Каталог SCI
Физика

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2026 год.

Ранее вы смотрели (10)
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.