Статья: Исследование спектров пропускания многослойных гетероэпитаксиальных структур
Разработан метод определения характеристик многослойных полупроводниковых структур по спектрам ИК‐пропускания, и построена теоретическая математическая модель спектра пропускания, зависящая от коэффициента поглощения и ряда параметров эпитаксиальных слоев кадмий—ртуть—теллур (КРТ). Измерены и исследованы спектры ИК‐пропускания эпитаксиальных структур (ЭС) твердых растворов КРТ. ЭС КРТ р‐типа проводимости выращивались методами жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) на подложках CdZnTe и молекулярно‐лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках GaAs.
Информация о документе
- Формат документа
- Кол-во страниц
- 1 страница
- Загрузил(а)
- Лицензия
- —
- Доступ
- Всем
Информация о статье
Статистика просмотров
Статистика просмотров статьи за 2026 год.
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.