Изучено влияние γ-облучения на диэлектрические свойства и ac-проводимость поперек слоев монокристаллов TlGaSe2 из разных технологических партий в частотной области 5⋅104 — 3,5⋅107 Гц. Показано, что γ-облучение монокристаллов TlGaSe2 дозами 3⋅104 и 2,25⋅106 рад приводит к уменьшению диэлектрической проницаемости, а также изменяет природу диэлектрических потерь. В γ-облученных монокристаллах TlGaSe2 установлен прыжковый характер ac-проводимости вблизи уровня Ферми и оценены плотность и энергетический разброс локализованных в окрестности уровня Ферми состояний, а также среднее время и расстояние прыжков.

Информация о документе

Формат документа
PDF
Кол-во страниц
1 страница
Загрузил(а)
Лицензия
—
Доступ
Всем

Информация о статье

ISSN
1996-0948
EISSN
2949-561X
Журнал
Прикладная физика
Год публикации
2012
Автор(ы)
Мустафаева С. Н., Исмайлов А. А., Асадов М. М.
Каталог SCI
Физика

Статистика просмотров

Статистика просмотров статьи за 2026 год.

Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.