Представлены экспериментальные результаты исследования монокристаллического Si (111), легированного хромом. Исследования проводились с использованием метода спектроскопии комбинационного рассеяния света (Рамановская спектроскопия). Обнаружено, что легирование переходных элементов к чистому кремнию приводит к уменьшению интенсивности рамановских пиков в несколько раз, а также к образованию дополнительных пиков на спектрах.
This paper presents the experimental results of a study of single-crystal Si (111) doped with chromium. The studies were carried out using the method of Raman spectroscopy (Raman spectroscopy). It has been found that the doping of transition elements with pure silicon leads to a decrease in the intensity of the Raman peaks by several times, as well as to the formation of additional peaks in the spectra.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
- Префикс DOI
- 10.51368/1996-0948-2022-2-33-38
- eLIBRARY ID
- 48444725
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.