Пористые слои полупроводниковых оксидных материалов привлекают все большее внимание как потенциальные материалы для использования в различных приложениях, требующих большой удельной поверхности (катализаторы, датчики, суперконденсаторы, фотоэлектрохимические преобразователи энергии и др.). В работе пред-ложен двухстадийный способ формирования микропористых слоев ZnO, заключающийся в предварительном формировании композитных слоев ZnO–Zn и последующем их вакуумном отжиге. На основании данных рентгеновской дифракции, растровой электронной микроскопии, рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии показано, что часовой вакуумный отжиг композитных слоев при 400 оC приводит к полному удалению избыточного цинка, в результате чего формируются слои ZnO с микропористой структурой.
Porous films based on semiconductor oxide materials have gained growing attention as potential materials for use in various fields requiring larger specific surface areas, such as catalysts, sensors, supercapacitors, photoelectrochemical energy converters, etc. This study reports a route to form microporous ZnO films, wherein in order to fabricate a porous thin film structure a vacum annealing process for as-deposited dense ZnO–Zn composite films is employed. Based on the XRD, SEM and EDX data, it was shown that one-hour vacuum annealing of the ZnO–Zn films at 400 оC leads to the complete removal of excess Zn from the composite film, resulting in the formation of ZnO layers with a microporous structure.
Идентификаторы и классификаторы
- УДК
- 539.234. испарением и конденсацией
661.847.22. Оксид цинка белый. Цинковые белила. Белоснежная белая - Префикс DOI
- 10.51368/1996-0948-2023-1-66-71
- eLIBRARY ID
- 50335525
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.