Предложен метод расчета нейтронного выхода при коллапсе пузырька дейтерия в жидкости с пренебрежимо малым давлением насыщенных паров. Показано удовлетворительное совпадение результатов расчета с экспериментальными данными [1]. Получены зависимости выхода нейтронов от параметров сжатия пузырька и показано, что в условиях эксперимента по ударному сжатию пузырька дейтерия [1] возможно получение нейтронного выхода до 105 нейтронов/коллапс.
The method of calculation of a neutron output is offered at a collapse of the deuterium bleb in a liquid with scornfully small pressure of a sated vapor. Satisfactory concurrence of results of calculation to experimental data is shown. Dependences of an output of neutrons on parameters of compression for the bleb are received. It is shown that reception of the neutron output up to 105 neu-trons/collapse is possible in conditions of an experiment on shock compression of the deuterium bleb.
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Физика
Предложенный метод расчета нейтронного выхода при коллапсе пузырьков позволяет оптимизировать параметры экспериментальной установки и выбирать временные параметры счетчика нейтронов для наиболее достоверной их регистрации.
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.
Список литературы
1. Смородов Е. А., Галиахметов Р. Н. Экспериментальное обнаружение нейтронов при ударном сжатии дейтериевого пузырька в вязкой жидкости// Прикладная физика. 2006. № 4. С. 5-11. EDN: KVWJLV
2. Nigmatulin R. I., Akhatov I. Sh., Topolnikov A. S. et al. Theory of supercompression of vapor bubbles and nanoscale thermonuclear fusion// Phys. Fluids. 2005. V. 17. 107106. EDN: LJBYGN
3. Ruuth S. J., Putterman S., Merriman B. Molecular dynamics simulation of the response of a gas to a spherical piston: Implications for sonoluminescence// Phys. Rev. E. 2002. V. 66. 036310.
4. Flannigan D. J., Suslick K. S. Molecular and atomic emission during single-bubble cavitation in concentrated sulfuric <..\\ТЯС и СЛ\\СЛ\\Molecular and atomic emission during singlebubble.pdf> acid Acoustics// Research Letters Online. 2005. V. 6. № 3. P. 157-161.
5. Hopkins S. D., Putterman S. J., Kappus B. A. et al. Dynamics of a Sonoluminescing Bubble in Sulfuric Acid// Phys. Rev. Lett. 2005. V. 95. 254301. EDN: LWGNOD
6. Dolan Th. J. Fusion Research. Principles, Experiments and Technology/ Pergamen Press, 2000. - 937 p.
7. Анисимов С. И., Беспалов В. Е., Вовченко В. И. и др. Генерация нейтронов при взрывном инициировании DD-реакции в конических мишенях// Письма в ЖЭТФ. 1980. Т. 31. № 1. С. 67-70.
8. Taleyarkhan R. P., West C. D., Cho J. S., Lahey R. T., Nigmatulin R. I., Block R. C. Evidence for Nuclear Emissions During Acoustic Cavitation// Science. 2002. V. 295. P. 1868-1873. EDN: MBMEDH
9. Taleyarkhan R. P., West C. D., Lahey R. T., Nigmatulin R. I., Block R. C., Xu Y. Nuclear Emissions During Self-Nucleated Acoustic Cavitation// Phys. Rev. Lett. 2006. V. 96. 034301. EDN: LJYYWJ
Выпуск
Другие статьи выпуска
Предложены фильтрующее устройство на основе мультиплекса Фабри—Перо и отображающий спектрометр, содержащий это устройство и смотрящий тепловизор. Проведены расчеты их параметров. Ожидается, что подобные устройства могут быть пригодны для получения изображений объектов в заданных узких спектральных диапазонах.
Работа посвящена приемникам теплового излучения, электрические соединения элементов р- и n-типа которых выполнены в виде “горячий спай—холодный спай”, т. е. ++, – –. Приведены результаты исследований термоэлектрических свойств образцов соединения Ag19Sb29Te52, предлагаемого в качестве термоэлектрического материала для этого приемника.
Созданное программное обеспечение позволяет автоматизировать процесс измерения и расчета таких параметров, как отношение сигнал/шум, коэффициент преобразования, коэффициент неравномерности свечения экрана, чистота поля зрения и частотноконтрастная характеристика. Измерено распределение интенсивности освещенности экрана с явно выраженной ячеистой структурой. Получена средняя ширина линии “сетки”. Уменьшение яркости на линии составляет 10—20 % от фона экрана. Получена зависимость ширины линии “сетки” от освещенности фотокатода.
Рассмотрены пути построения унифицированной системы обработки сигналов многоэлементного фотоприемного устройства ИК-диапазона, возможности модульного построения системы обработки сигналов, приведены ее структура и реализация. Описан разработанный унифицированный электронный модуль для тепловизионных приборов на основе программируемой логической интегральной схемы (ПЛИС) типа FPGA. Модуль имеет размеры 115x70x15 мм и потребляет мощность 4 Вт. Приводятся функциональная схема разработанного модуля и результаты использования унифицированного модуля совместно с охлаждаемым ИК-приемником на основе HgCdTe 320x256 и неохлаждаемым микроболометрическим ИК-приемником на основе резистивного аморфного кремния 320x240.
Предложена система фазово-сопряженного лазера с параллельным соединением петлевых оптически связанных резонаторов и пассивной модуляцией добротности для получения мощного лазерного излучения. Численным моделированием определены особенности динамики генерации лазерной системы, максимальные энергетические параметры и оптимальное число резонаторов.
Исследована работа термоэлектрического охладителя Пельтье с дополнительной проводящей перемычкой заданного сопротивления, которая расположена между горячей и холодной его сторонами и соединяет p- и n-ветви, в режиме максимального снижения температуры.
Рассмотрена возможность использования сканирующего эллипсометра в качестве инструмента контроля чистоты поверхности арсенидгаллиевых фотокатодов при производстве электронно-оптических преобразователей.
Изучено воздействие импульсного гамма-излучения и нейтронного облучения на фотоэлектрические и электрофизические свойства р-n-переходов в СdxHg1-xTe (x), полученных диффузией различных элементов (Cu, Ag, Au, Hg, Pt), а также ионной имплантацией различных ионов (В+, Аl+, P+). Показано, что электрические и фотоэлектрические характеристики ионно-имплантационных р-n-переходов значительно улучшаются после радиационного облучения, в то время как свойства диффузионных фотодиодов существенно не изменились.
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si (310) выращены слои Hg1-хCdхTe с составом х = 0,3—0,34. В выращенных структурах методом Холла измерены концентрация и подвижность носителей, методом селективного травления определена плотность дефектов упаковки, прорастающих дислокаций и антифазных границ, определена плотность макроскопических V-дефектов. Изготовлена матрица фотодиодов размерностью 128x128 с длинноволновой границей фоточувствительности λ1/2(77 К) = 4,07 мкм с высокими фотоэлектрическими характеристиками.
Встроенная система обработки теплового изображения была создана на базе матричной БИС FPGA, т. е. вентильной матрицы с эксплуатационным программированием. Основная задача такой системы — увеличение отношения сигнал/шум применительно к тепловым изображениям. Она содержит быстрый 12-битовый аналого-цифровой преобразователь, RAM объемом 1 Мбайт, съемный модуль для подсоединения к персональному компьютеру (ПК). Реализуются алгоритмы с использованием подстройки различных окон. Показана возможность реализации быстрого преобразования Фурье (FFT) для тепловых изображений. Предусмотрены возможности для цветового кодирования тепловых изображений, а также подсоединения различных модулей для передачи и сохранения данных.
Международные и национальные стандарты требуют высокой надежности от термоэлектрических (ТЭ) модулей, применяемых в оптоэлектронных приборах. Стандартный критерий состоит в измерении и спецификации электрического сопротивления R-модуля. На производственной стадии добротность Z ТЭ-модуля также контролируется методом Хармана. В работе [1] предложен комплексный метод контроля качества путем измерения R, Z и временной константы τ. Следуя этому подходу, в данной статье показываются преимущества такого комплексного измерения R, Z и τ для оценки качества всей сборки, основанной на ТЭ-модуле, а также для контроля надежности или отказов модуля во время работы в составе оптоэлектронного прибора. Представлены теоретические обоснования и экспериментальные результаты. Все исследования были проведены с помощью комплексных измерителей серий DХ4065 и DХ4165, выпускаемых фирмой RMT Ltd.
Рассмотрены особенности фотоэлектрических свойств гетеропереходов (ГП) Сd1-xZnxS— CdТе1-xSex в зависимости от технологических режимов их осаждения из раствора и термической обработки. При освещенности 1,45⋅105 лк фотоэлементы генерировали ЭДС 0,5—0,6 В, ток 5—8 мA/см2 и имели КПД η = 4—5 %. Спектральное распределение тока короткого замыкания позволяет охарактеризовать формирователь сигналов изображения на основе ГП Сd1-xZnxS—CdТе1-xSex как зеленочувствительный по общепринятой классификации для фотографических слоев. Однако структура может работать и во всей области видимого спектра, хотя и с разной чувствительностью. Это позволяет получить три цветоотделенных изображения в основных цветах и тем самым сформировать цветной видеосигнал. Преобразование оптического излучения в электрические сигналы на основе ГП Сd1-xZnxS—CdТе1-xSex может быть использовано для регистрации слабых оптических изображений с последующей записью их элементов в память с возможной коррекцией фоточувствительности, а считывание изображения производится ИК-светом.
На основе метода имплантации через пленки и метода многократного ионного легирования разработаны алгоритмы моделирования процесса формирования P++-приконтактного слоя и Р+-Р-пролетного слоя двухпролетных лавинно-пролетных диодов (ЛПД) со ступенчатым профилем легирования. Проведен численный эксперимент по определению режима формирования Р++-, Р-, Р+-слоев двухпролетного ЛПД 4-мм диапазона со ступенчатым профилем легирования.
Дан краткий обзор литературы, посвященной теории фотоиндуцированных и тепловых шумов в полупроводниковых диодах. Рассчитаны координатные и частотные зависимости фотоиндуцированных токов и шумов в р+-п-переходе с учетом объемной и поверхностной рекомбинации дырок, генерированных при локальном облучении п-области. Установлено, что в р+-п-переходах шумы токораспределения вызываются флуктуациями локальных темпов рекомбинации и диффузии дырок в п-области. Выявлен физический механизм формирования в p-n-переходах высокочастотных тепловых и фотоиндуцированных дробовых шумов.
Показано, что при определенных условиях диффузионный ток Idm центральных n+-p-переходов многоэлементного ИК-фотоприемника на основе CdхHg1-xTe (x ≈ 0,2) может быть существенно меньше диффузионного тока единичного n+-p-перехода на основе той же самой гетероэпитаксиальной структуры. При этом величина Idm хорошо описывается в рамках одномерной модели n+-p-перехода с короткой базой и блокирующим контактом, в то время как в рассматриваемом многоэлементном ИК-фотоприемнике контакты в p-области являются омическими, и расстояние между ними и крайними пикселами превышает диффузионную длину электронов.
Рассмотрена проблема транспортировки интенсивного электронного пучка в выводном устройстве генератора пучковой плазмы в условиях, когда непосредственно пучок прожигает себе тракт. Для определения диаметра отверстия, образующегося в тонкой пластине при воздействии теплового потока, решена стационарная задача теплопроводности. Особенности прожига анализируются путем сравнения пучков с различными распределениями — Гауссовым и платообразным. Получен критерий прожига, устанавливающий взаимосвязь между параметрами пучка и геометрическими и теплофизическими характеристиками пластин, обеспечивающими прожигание бесконечного числа пластин.
Рассмотрен дополнительный вклад в изменение движения заряженных частиц (любого знака!) при их взаимодействии со сгустками пространственно-неоднородных высокочастотных электромагнитных колебаний при условии изменения как геометрических размеров, так и масштаба огибающей амплитуд этих сгустков по сравнению с взаимодействием частиц со сгустками, у которых размеры и масштаб амплитуд остаются неизменными.
Время диэлектрической релаксации τ и дипольный момент p бинарных систем различных молярных концентраций N-метилформамида (NMF) и N, N-диметилформамида (DMF) в растворе бензола были рассчитаны для различных температур (25, 30, 35 и 40 ОС) методом Г. Кришны, т. е. вариацией концентраций и использованием стандартной СВЧ-техники в одночастотном (9,885 ГГц) режиме. Энергетические параметры ΔНɛ, ΔFɛ, ΔSɛ для процесса диэлектрической релаксации бинарной системы (NMF+DMF), содержащей NMF 50%-ной молярной концентрации, рассчитаны для различных температур. Было выполнено сопоставление с соответствующими энергетическими параметрами ΔНɛ, ΔFɛ, ΔSɛ для процесса вязкого течения. На базе этих исследований сделано заключение, что процесс диэлектрической релаксации может быть интерпретирован как кинетический, совершенно подобный процессу вязкого течения. Были предложены для рассмотрения молекулярные ассоциации растворяемых веществ и растворяемого вещества и растворителя.
Показана возможность описания процессов диффузии в полиэтилене в рамках концепции дробного дифференцирования. Дана физическая интерпретация каналов диффузии как совокупности микрополостей флуктуационного свободного объема. Рассмотрено применение разных интерпретаций дробного показателя и его связи со структурой полимера.
Выполнен обзор некоторых классических монографий и первоисточников по проблемам поверхностного натяжения и смачивания поверхностей. Установлены противоречия традиционных подходов и обоснована необходимость корректировки сложившейся системы описания пограничных эффектов. Экспериментально уточнены силовые характеристики статического взаимодействия жидкости и твердого тела. Предложены альтернативная трактовка явления разрыва жидкой среды, а также методы обработки результатов, исключающие необходимость введения поправок при эталонных измерениях.
Рассмотрены возможности повышения эффективности работы алюминиевых электролизеров с помощью математического моделирования, проведенного на основе многомерных уравнений Навье—Стокса и системы уравнений Максвелла с учетом индуцированных токов. Представлены расчеты динамики поверхности раздела между металлом и электролитом для различных геометрий электролизера, проведенные с помощью вычислительного комплекса, реализующего предложенную математическую модель.
Выполнен анализ имеющихся экспериментальных данных по спектральной и температурной зависимости коэффициента поглощения расплава оксида алюминия в области полупрозрачности и результатов их аппроксимации. Рассмотрены основные физикохимические процессы, влияющие на величину коэффициента поглощения. Показано, что всю совокупность данных можно разбить на две большие группы, различающиеся по уровню поглощения, однако сделать обобщения в пределах каждой из групп не представляется возможным вследствие большого разброса величин.
На основе выполненных исследований нелинейных магнитных свойств поликристаллов YBa2Cu3O7-x разработан управляемый формирователь гармоник (УФГ). С помощью данного устройства можно управлять постоянным магнитным полем или током амплитудами формируемых гармоник. УФГ конструктивно прост, имеет в спектре большое количество высших гармоник, обладает широким динамическим диапазоном и надежен практически при любых амплитудах входного сигнала.
Показана единая физическая основа для объяснения явления трения и резания (как предельной формы трения) и обработки одного материала другим в широко распространенных технологических методах обработки материалов. Предложен метод расчета поверхностных энергий связи металлического иона и теоретически обоснована возможность его отрыва от металла-анода при заданном большом экспериментальном значении внешнего электрического поля (полевое испарение или кулоновский взрыв поверхности анода). Показана определяющая роль сильных электрических полей в тонких контактных слоях на границе раздела разнородных твердых тел в процессе переноса вещества-анода в этих слоях для широкого круга природных и технологических явлений и процессов.
Статистика статьи
Статистика просмотров за 2026 год.
Издательство
- Издательство
- АО "НПО "ОРИОН"
- Регион
- Россия, Москва
- Почтовый адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- Юр. адрес
- 111538, г Москва, р-н Вешняки, ул Косинская, д 9
- ФИО
- Старцев Вадим Валерьевич (ГЕНЕРАЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР)
- E-mail адрес
- orion@orion-ir.ru
- Контактный телефон
- +7 (499) 3749400