Статья: Исследование влияния подготовки поверхности подложек GaAs на свойства МОСVD-эпитаксиальных слоев СdTe и CdHgTe (2010)

Читать онлайн

Исследовано влияние предростовой подготовки подложек GaAs на кристаллическое совершенство и морфологию поверхности выращенных на них MOCVD-слоев CdTe и CdxHg1-xTe. Показано, что оптимальной температурой отжига подложек GaAs(100) в атмосфере водорода является 580—590 °С, а подложек GaAs(111)B — 530—550 ° С. При более высокой температуре отжига ухудшается морфология поверхности выращиваемых слоев CdTe, а при более низкой — ухудшается их кристаллическое совершенство. Нанесение гомоэпитаксиального слоя арсенида галлия на подложки GaAs(100) может служить эффективным средством уменьшения плотности ростовых дефектов (hillocks) на поверхности гетерослоев CdxHg1-xTe(100)/CdTe(100)/GaAs(100).

The effect of pre-growth preparation of GaAs substrates on crystal perfection and morphology of the surface with grown MOCVD-layers of CdTe and CdxHg1-xTe is investigated. It is shown that the optimum annealing temperature for GaAs(100) substrates in hydrogen environment is 580—590 °C and for GaAs(111)B substrates is 530—550 ° C. At higher annealing temperature the surface morphology of the grown CdTe layers degrades and at lower temperature a degradation of their crystal perfection is observed. Application of homoepitaxial layer of gallium arsenide on GaAs(100) substrates can be used as an effective technique to reduce the density of hillocks on the surface of CdxHg1-xTe(100)/CdTe(100)/GaAs(100) heterolayers.

Ключевые фразы: подложка, морфология, поверхность, температура, гетерослой
Автор (ы): Котков Анатолий Павлович (Kotkov A. P.), Моисеев Александр Николаевич, Гришнова Наталья Дмитриевна
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
546.4. Металлы II группы
548.25. Закономерные срастания кристаллов различных веществ (эпитаксия). Гетерогенные агрегаты. Образование штриховой структуры
Для цитирования:
КОТКОВ А. П., МОИСЕЕВ А. Н., ГРИШНОВА Н. Д. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК GAAS НА СВОЙСТВА МОСVD-ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ СDTE И CDHGTE // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2010. №1
Текстовый фрагмент статьи
Моя история просмотров (10)
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.