Статья: Методы анализа явлений переноса в HgCdTe при наличии нескольких типов носителей (2011)

Читать онлайн

Представлен анализ результатов исследований узкощелевого твердого раствора HgCdTe с помощью классических кинетических эффектов, которые проводились с момента получения первых образцов этого материала. Показано, что эти исследования позволили не только определить основные параметры носителей заряда, но и судить о структурном совершенстве материала, а также принципиально расширили возможности этих экспериментальных методов, например для анализа полупроводниковых многослойных структур.

The paper examines the findings of the investigation of kinetic effects in HgCdTe which have been carried out since the first samples of this material were grown. This long-lasting research has multifold importance since not only the main parameters of carriers, but structural perfection of the material were assayed. In addition, it enabled those experimental techniques to find a new application in the investigation of multi-layer semiconductor structures.

Ключевые фразы: кинетические эффекты, твердый раствор hgcdte, многослойные структуры, спектр подвижности, qmsa
Автор (ы): Берченко Николай Николаевич (Berchenko N. N.), Елизаров Александр Иванович
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
Для цитирования:
БЕРЧЕНКО Н. Н., ЕЛИЗАРОВ А. И. МЕТОДЫ АНАЛИЗА ЯВЛЕНИЙ ПЕРЕНОСА В HGCDTE ПРИ НАЛИЧИИ НЕСКОЛЬКИХ ТИПОВ НОСИТЕЛЕЙ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2011. №4
Текстовый фрагмент статьи
Моя история просмотров (10)
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.