1. Белоус А.И., Ефименко С.А., Турцевич А.С. Полупроводниковая силовая электроника. М., Техносфера, 2013. EDN: XVJQMK
2. Hossain N., Mobarak M.H., Mimona M.A., et al. Advances and significances of nanoparticles in semiconductor applications - a review. Results Eng., 2023, vol. 19, art. 101347. DOI: 10.1016/j.rineng.2023.101347
3. Basu R. A review on single crystal and thin film Si-Ge alloy: growth and applications. Adv. Mаtеr., 2022, vol. 3, iss. 11, pp. 4489-4513. DOI: 10.1039/D2MA00104G
4. Демидов A.А., Рыбалка С.Б. Современные и перспективные полупроводниковые материалы для микроэлектроники следующего десятилетия (2020-2030 гг.) Прикладная математика и физика, 2021, т. 53, № 1, с. 53-72. DOI: 10.52575/2687-0959-2021-53-1-53-72 EDN: VDWWCF
5. Зайнабидинов С.З., Саидов А., Каланов М. и др. Синтез, структура и электрофизические свойства гетероструктур n-GaAs-p-(GaAs)1 - x - y(Ge2)x(ZnSe)y (обзор). Гелиотехника, 2019, т. 55, с. 291-308.
6. Фомин Д.В., Новгородцев Н.С., Струков Д.О. и др. Формирование тонких пленок Mg2Si на Si (111) и исследование их методом ЭОС и СХПЭЭ. Вестник АмГУ, 2021, т. 93, с. 30-34. DOI: 10.22250/jasu.93.6
7. Гапоненко С. Полупроводниковые нанокристаллы. Наука и инновации, 2020, № 8, c. 9-13. EDN: OKPGRW
8. Гулякович Г.Н., Северцев В.Н., Шурчков И.О. Перспективы и проблемы полупроводниковой наноэлектроники. Инженерный вестник Дона, 2012, т. 20, № 2, c. 315-319. EDN: PCRQIB
9. Саидов А.С., Раззаков А.Ш., Исмаилов Ш.К. и др. Жидкофазная эпитаксия твердых растворов (Ge2)1 - x(InP)x и (GaAs)1 - x - y(Ge2)(ZnSe)y. Техника. Технологии. Инженерия, 2017, № 2-1, с. 28-30. EDN: YNEWVF
10. Зайнабидинов С.З., Утамурадова Ш.Б., Бобоев А.Ю. Структурные особенности твердого раствора (ZnSe)1 - x - y(Ge2)x(GaAs1-x-y;Bis)y с различными нановключениями. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2022, № 12, с. 48-52. DOI: 10.31857/S1028096022120342
11. Зайнабидинов С.З., Саидов А.С., Лейдерман А.Ю. и др. Получение, структура и свойства эпитаксиальных пленок (GaAs)1 - x - y(Ge2)x(ZnSe)y на основе GaAs. Физика и техника полупроводников, 2016, т. 50, № 1, с. 60-66. EDN: VPSAMN
12. Зайнабидинов С.З., Юлдашев Ш.У., Бобоев А.Й. и др. Рентгеноструктурные и электронно-микроскопические исследования металлооксидных пленок ZnO(S), полученных методом ультразвукового спрей-пиролиза. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Естественные науки, 2024, т. 112, № 1 (112), с. 78-92. EDN: GFUKHQ
13. Плотников В.А., Макаров С.В., Еремеенкова О.О. и др. Распределение кластеров, сформированных sp2- и sp3-связями, в углеродной алмазоподобной тонкой пленке. ЖТФ, 2021, т. 91, № 4, c. 615-619. DOI: 10.21883/JTF.2021.04.50624.157-20 EDN: ERKRMY
14. Червоный И.Ф., Бубинец А.В. Влияние кислорода и углерода на образование окислительных дефектов упаковки в монокристаллическом кремнии. ScienceRise, 2015, т. 11, № 2, с. 6-10. EDN: VFEXHT
15. Zainabidinov S.Z., Boboev A.Y., Yunusaliyev N.Y. Effect of y-irradiation on structure and electrophysical properties of S-doped ZnO films. East Eur. J. Phys., 2024, no. 2, pp. 321-326. DOI: 10.26565/2312-4334-2024-2-37 EDN: QWOCMZ
16. Шулпина И.Л., Кютт Р.Н., Ратников В.В. и др. Методы рентгеновской дифракционной диагностики сильнолегированных монокристаллов полупроводников. ЖТФ, 2010, т. 80, № 4, c. 105-114. EDN: RCTRSV
17. Сетюков О.А., Самойлов А.И. Влияние юстировки рентгеновского дифрактометра на зависимость периода решетки от экстраполяционной функции Нельсона - Райли. Заводская лаборатория. Диагностика материалов, 2011, т. 77, № 8, c. 34-36. EDN: ODVXWV
18. Ташметов М.Ю., Каланов М., Махкамов Ш. и др. Медь-кислородные нано-кристаллиты в монокристаллах кремния, легированных медью. Узбекский физический журнал, 2018, т. 20, № 2, с. 90-97. DOI: 10.52304/.v20i2.33
19. Терехов В.А., Тетельбаум Д.И., Занин И.Е. и др. Дифракционные исследования формирования нанокристаллов кремния в структурах SiOx/Si с ионной имплантацией углерода. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники, 2012, № 4, с. 54-59. EDN: REJPHH
20. Скворцов А.М., Трифонова Т.А., Хуинь Конг Ту. Микроструктурирование монокристаллов кремния волоконным лазером в режиме высокоскоростного сканирования. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики, 2015, т. 15, № 6, с. 1062-1071. DOI: 10.17586/2226-1494-2015-15-6-1062-1071 EDN: UXQSDT
21. Utamuradova Sh.B., Daliyev Sh.Kh., Khamdamov J.J., et al. Research of the impact of silicon doping with holmium on its structure and properties using Raman scattering spectroscopy methods. East Eur. J. Phys., 2024, vol. 2, art. 274. DOI: 10.26565/2312-4334-2024-2-28 EDN: OIOUCO