В аналитическом обзоре системно рассмотрено современное состояние и ключевые проблемы обеспечения отечественных электронных производств материалами в условиях санкционных ограничений. Показана эволюция структуры полупроводниковой отрасли от вертикально интегрированных предприятий (IDM) к модели fabless и foundry, а также особенности российской электронной промышленности, унаследованной от СССР. Проанализированы последствия разрушения замкнутой технологической цепочки производства электронной компонентной базы (ЭКБ) в 1990-е годы и последующие попытки её восстановления через федеральные целевые программы. Выполнено сравнение подходов к формированию научно-технических программ в России, США и Китае, выявлены недостатки отечественной системы (отсутствие анализа альтернатив, формальный характер конкурсов, слабая координация). Детально рассмотрено мировое и российское производство ключевых радиоэлектронных материалов: поликремния, монокристаллического кремния, германия, арсенида галлия, антимонидов индия и галлия, а также широкозонных полупроводников (SiC, GaN, Ga₂O₃, алмаз, AlN, BN). Приведены данные об объёмах рынка, технологических уровнях, основных производителях и имеющихся отечественных разработках. Сформулированы предложения по концентрации усилий на критически важных группах материалов, развитию комплексных (сквозных) проектов, усилению координации между разработчиками аппаратуры и материалов, а также по сотрудничеству с Республикой Беларусь. Обзор предназначен для специалистов в области электронного материаловедения, разработчиков ЭКБ и лиц, принимающих решения в сфере промышленной политики.
This analytical review systematically examines the current state and key challenges of supplying domestic electronic manufacturing industries with materials under sanctions-related constraints. The evolution of the semiconductor industry structure from vertically integrated enterprises (IDMs) to the fabless and foundry models is discussed, along with the specific features of the Russian electronics industry inherited from the Soviet era. The consequences of the collapse of the closed technological chain for the production of electronic components in the 1990s and subsequent attempts to restore it through federal target programs are analyzed. Approaches to the development of science and technology programs in Russia, the United States, and China are compared, and the shortcomings of the Russian system are identified, including the lack of alternatives analysis, the formal nature of competitive selection procedures, and weak coordination mechanisms. The review provides a detailed examination of global and Russian production of key electronic materials, including polysilicon, single-crystal silicon, germanium, gallium arsenide, indium and gallium antimonides, as well as wide-bandgap semiconductors (SiC, GaN, Ga₂O₃, diamond, AlN, and BN). Data on market volumes, technological maturity levels, major manufacturers, and existing domestic developments are presented. Recommendations are proposed for concentrating efforts on critically important material groups, developing integrated end-toend projects, strengthening coordination between device and materials developers, and expanding cooperation with the Republic of Belarus. The review is intended for specialists in electronic materials science, electronic component developers, and decision-makers in the field of industrial policy.
Предпросмотр статьи
Идентификаторы и классификаторы
- SCI
- Системология
Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.
