Статья: Изопериодические фоточувствительные гетероструктуры Pb1-xSnxЅе/PbSе1-хSх (2012)

Читать онлайн

Рассмотрены особенности создания изопериодических эпитаксиальных гетеропереходов p-Pb1-хSnхЅе (х = 0,03)/n-PbSе1-хSх (х = 0,05) и изготовления фоточувствительных элементов, пригодных для практического применения. Изготовлены фоточувствительные элементы с высокими техническими параметрами: R0A = 1,2—1,5 Ом·см2; λmax = 8 мкм; D *λ = = (1—2)⋅1010 см⋅Гц1/2⋅Вт-1, сравнимыми с аналогичными параметрами, приведенными для диодов Шоттки на основе Pb1-хSnхSe

In the present paper, peculiarities of creation of the isoperiodic p-Pb1-xSnxSe (x = 0.03)/n-PbSe1-xSx (x = 0.05) hetero-junctions and manufacturing the photosensitive elements suitable for application have been considered. Photosensitive elements with high technical parameters: R0A = 1.2— 1.5 Ω⋅cm2; λmax= 8 µm; D*λ = (1—2)⋅1010 cm⋅Hs1/2⋅W-1, which are comparable with the similar parameters obtained for Shottky diodes on the basis Pb1-xSnxSe, have been made

Ключевые фразы: гетеропереход, эпитаксиальный слой, фоточувствительный элемент
Автор (ы): Нуриев Идаят Рагим оглы (Nuriev I. R.), Фараджев Назим Вахид оглы, Назаров Афин Магомед, Гаджиев Мехман Балоглан оглы
Журнал: ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА

Предпросмотр статьи

Идентификаторы и классификаторы

SCI
Физика
УДК
621.315.592. Полупроводники
Для цитирования:
НУРИЕВ И. Р., ФАРАДЖЕВ Н. В., НАЗАРОВ А. М., ГАДЖИЕВ М. Б. ИЗОПЕРИОДИЧЕСКИЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ PB1-XSNXЅЕ/PBSЕ1-ХSХ // ПРИКЛАДНАЯ ФИЗИКА. 2012. №1
Текстовый фрагмент статьи
Будьте первым, кто начнет обсуждение

Если у вас возникли вопросы или появились предложения по содержанию статьи, пожалуйста, направляйте их в рамках данной темы.